STT-RAM será la memoria del futuro

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IBM y la japonesa TDK se han unido para desarrollar un nuevo tipo de memoria magnética llamada STT-RAM (Spin-Transfer Torque)

Esta memoria funciona de la siguiente manera: una corriente electrónica es aplicada al imán para lograr cambiar la dirección del campo magnético (izquierda a derecha o arriba a abajo) causando un cambio en la resistencia.

Anteriormente IBM estaba trabajando en otro tipo de memoria magnética convencional llamado MRAM, pero ha tenido problemas a la hora de reducir los transistores en estos chips, sabiendo que hoy en día el tamaño es algo muy importante en el mundo de la tecnología, no poder lograr la reducción de tamaño ha hecho que se alíe con TDK para conseguir la STT-RAM.

Y ya que estamos hablando de los peces gordos, tampoco hay que dejar de lado a Grandis, una empresa de Silicon Valley que promete conseguir la STT-RAM para el año que viene

De esta forma nos quedamos a la espera de estas memorias, que esperamos en un futuro no muy lejano